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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB75NA60UF
| Artikelnummer: | VS-GB75NA60UF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT MOD 600V 109A 447W SOT227 |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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| Aktie: |
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB75NA60UF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments VS-GB75NA60UF.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600 V VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 35A Supplier Device-Gehäuse SOT-227 Serie - Leistung - max 447 W Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC Paket Tube Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) NTC-Thermistor No Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Chassis Mount Eingang Standard IGBT-Typ NPT Strom - Collector Cutoff (Max) 50 µA Strom - Kollektor (Ic) (max) 109 A Konfiguration Single Grundproduktnummer GB75 VS-GB75NA60UF Einzelheiten PDF [English] VS-GB75NA60UF PDF - EN.pdf -
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